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SI8275GBD-IM1R

制造厂商：Silicon Labs

类别封装：隔离器 - 栅极驱动器，封装：14-VDFN

技术参数：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

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技术参数详情：

制造商产品型号：SI8275GBD-IM1R

制造商：Silicon Labs

描述：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

系列：隔离器 - 栅极驱动器

产品系列：Automotive, AEC-Q100

零件状态：有源

技术：容性耦合

通道数：2

电压-隔离：2500Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/μs

传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：75ns，75ns

脉宽失真（最大）：8ns

上升/下降时间（典型值）：10.5ns，13.3ns

电流-输出高、低：1.8A，4A

电流-峰值输出：4A

电压-正向(Vf)（典型值）：-

电流-DC正向(If)（最大值）：-

电压-?输出供电：4.2V ~ 30V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装：14-VDFN

供应商器件封装：14-QFN（5x5）

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